2026年3月1日，国盛证券（002670）发布了一篇电子行业的研究报告，报告指出，AI推理的下半场投资机遇-关注LPU。

　　报告具体内容如下：

　　LPU：关注AI推理的下半场投资机遇。英伟达与AI芯片草创公司Groq达成协议，斥资200亿美金获取其技术非独家许可并吸纳其核心团队。Groq专门设计了LPU，LPU运行大型语言模型（LLMs）及其他主流模型的速度显著更快，在架构层面，从能源效率上比GPU高出多达10倍。LPU集成为了数百兆片上SRAM作为主权重存储器（而非缓存），显著降低了访问延迟。我们认为，LPU的应用有望带动SRAM的需求提升。从供电技术来看，背面供电网络（BPDN）直接从晶圆下方向前沿晶体管供电，这种架构变革能够提升处理器性能、大幅降低功率损耗并提高电源效率，嵌埋PCB不仅让结构更小，更重要的是提供了寄生稳定、可预测的电气环境，这对于超大电流瞬间负载的稳定性至关重要，AI将带动嵌埋PCB需求，此外，我们认为LPUPCB层数有望显著提升，建议关注PCB厂商及上游材料。 英伟达指引超预期，重视AI硬件板块投资机会。公司FY26Q4营收681亿美圆，同比+73%，其中数据中心623亿，同比+75%，环比+22%。GAAP毛利率为75%，非GAAP毛利率为75.2%，随着Blackwell继续扩大产能，毛利率实现环比增长。公司指引FY27Q1营收将达到780亿美元，上下浮动2%，不包括来自中国的任何数据中心计算营收，全年的GAAP和非GAAP毛利率预计分别为74.9%和75%，上下浮动50个基点。从产品进展来看，GraceBlackwell系统约占FY26Q4数据中心营收的三分之二，目前主要云服务商、超大规模企业、AI模型厂商及部分主权客户，已合计部署并消耗接近9吉瓦的Blackwell基础设施。 高速HBF标准发布，产业化进程逐步推进。高带宽闪存（HBF：HighBandwidthFlash）的出现，旨在解决人工智能的内存瓶颈问题。其观念是将NAND闪存像HBM一样堆叠起来，从而在提供HBM级别带宽的同时，实现16倍的容量提升。SK海力士和闪迪正在联合开发这项技术，目标是在2026年底推出样品SK海力士与闪迪举行了HBF规范标准化联盟启动活动，宣布了面向AI推理时代的下一代存储解决规划HBF（高带宽闪存）的全球标准化战略。SK海力士表示通过与闪迪合作将HBF打造为行业标准，将为整个AI生态系统的共同成长奠定基础，SK海力士与闪迪将在开放计算项目（OCP）下与闪迪共同设立专门工作组，启动标准化工作。

周观点：见相关标的。

风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。

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来源： 证券时报

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